149-152.pdf

7.3. Moduły pamięci RAM

UWAGA

Oddzielną grupę pamięci SDRAM stanowią wersje przeznaczone dla kart graicznych:

VRAM, GDDR2 (ang. Graphics Double Data Rate ver. 2 ), GDDR3, GDDR4, GDDR5.

Kolejną generacją pamięci SDRAM mają być kości oznaczone jako DDR4, a ich wpro-

wadzenie przewiduje się na rok 2012.

Kontroler pamięci zamontowany w najnowszych procesorach Core i7 (Intel) umożli-

wia obsługę pamięci DDR3 SDRAM w trybie trzykanałowym (ang. triple channel ).

7.2.5. RDRAM, XDR i XDR2 RDRAM

Pamięci RDRAM (ang. Rambus DRAM ), opracowane przez irmę Rambus, pojawiły

się na rynku w roku 1999. Dedykowana magistrala pamięci RDRAM ma szerokość

tylko 16 bitów, ale pracuje z dużą prędkością, przesyłając informacje na rosnącym

i opadającym zboczu sygnałowym (DDR). Pierwsze pamięci RDRAM pozwalały na

przesyłanie informacji z prędkością magistrali 400 MHz i przepustowością rzędu 1,6

GB/s, gdzie PC-133 taktowane były zegarem 133 MHz i umożliwiały transfer 1064

MHz. Dwa 16-bitowe moduły można było montować w trybie dual channel.

Dostępne są między innymi następujące wersje pamięci RDRAM:

PC-600 — o częstotliwości zegara 300 MHz i przepustowości 1,2 GB/s,

PC-700 — o częstotliwości zegara 355 MHz i przepustowości 1,4 GB/s,

PC-800 — o częstotliwości zegara 400 MHz i przepustowości 1,6 GB/s,

PC-1066 — o częstotliwości zegara 533 MHz i przepustowości 2,1 GB/s,

PC-1200 — o częstotliwości zegara 600 MHz i przepustowości 2,4 GB/s.

Następcą RDRAM jest pamięć oznaczona jako XDR RDRAM umożliwiająca pracę

z częstotliwością magistrali do 1066 MHz i przepustowość przeszło 29 GB/s. Nowszą

wersją jest XDR2 RDRAM umożliwiająca transfer do 38,4 GB/s, a w przyszłości na-

wet do 51 GB/s. Pamięci XDR stosowane są głównie w konsolach do gier, wydajnych

kartach graicznych i serwerach. Tego typu pamięć wykorzystała irma Sony w konsoli

do gier Play Station 3.

Głównym czynnikiem wpływającym na małą popularność pamięci RDRAM w sys-

temach klasy PC jest jej stosunkowo wysoka cena, zwłaszcza w porównaniu z ceną

pamięci DDR.

7.3. Moduły pamięci RAM

Pamięć RAM izycznie przyjmuje postać układu scalonego. Pierwsze pamięci DRAM

montowane były bezpośrednio na płycie głównej bez możliwości rozbudowy. Później

kości pamięci zaczęto umieszczać w specjalnych podstawkach, co pozwalało na roz-

149

ROZDZIAł 7 t Pamięć operacyjna

budowę, lecz z czasem pod wpływem temperatury pojawiały się problemy ze stykami

elektrycznymi.

Rozwiązaniem tych problemów okazała się koncepcja modułów , czyli drukowanych

płytek z przylutowanymi na stałe chipami pamięci DRAM, które montowane są w spe-

cjalnych gniazdach na płycie głównej.

Opracowano trzy odmiany modułów:

SIMM,

DIMM,

RIMM.

7.3.1. Moduły SIMM

Moduły SIMM (ang . Single Inline Memory Module ) powstały dla pamięci asynchro-

nicznych typu DRAM, FPM i EDO DRAM (rysunek 7.2). Opracowano dwie odmiany

modułów SIMM:

SIMM 30-końcówkowy

(mniejszy) — obsługiwał 8-bitową magistralę pamięci;

SIMM 72-końcówkowy

— przeznaczony dla pamięci 32-bitowych.

Rysunek 7.2. Moduły SIMM — 72-końcówkowy (większy) i 30-końcówkowy (mniejszy)

Moduły SIMM umieszcza się na płycie głównej w specjalnie wyproilowanych złą-

czach uniemożliwiających błędny montaż.

7.3.2. Moduły DIMM (SO-DIMM)

Nowa odmiana pamięci synchronicznych SDRAM wymusiła na producentach opraco-

wanie nowych, bardziej odpowiednich modułów oznaczonych symbolem DIMM (ang.

Dual Inline Memory Module ). DIMM od wcześniejszego SIMM różni się pod każdym

względem: ma inne wymiary, inny sposób montażu, inną liczbę pinów. Każdy nowy

rodzaj pamięci SDRAM, z powodu braku kompatybilności wstecznej, wydawany jest

na innym typie modułu DIMM, co uniemożliwia uszkodzenie pamięci.

15 0

7.3. Moduły pamięci RAM

Opracowano następujące typy modułów DIMM:

SO-DIMM — przeznaczone dla komputerów przenośnych (rysunek 7.3):

-końcówkowy — używany w FPM DRAM i EDO DRAM;

SO-DIMM 144

-końcówkowy — wykorzystywany w SDR SDRAM;

SO-DIMM 200

-końcówkowy — wykorzystywany w DDR SDRAM i DDR2

SDRAM;

SO-DIMM 204

-końcówkowy — wykorzystywany w DDR3 SDRAM.

Rysunek 7.3.

Moduł SO-DIMM

DIMM — przeznaczone dla komputerów stacjonarnych:

-końcówkowy — wykorzystywany w SDR SDRAM;

DIMM 184

-końcówkowy — wykorzystywany w DDR SDRAM;

DIMM 240

-końcówkowy — wykorzystywany w pamięci DDR2 SDRAM;

FB-DIMM 240

-końcówkowy — wykorzystywany w pamięci DDR2 DRAM

z przeznaczeniem dla serwerów;

DIMM 240

-końcówkowy — wykorzystywany do pamięci DDR3 SDRAM.

Kolejne moduły DIMM mają specjalne wcięcia na płytce i przetłoczenia w gnieździe,

co uniemożliwia montaż w slocie przeznaczonym dla innej wersji (rysunek 7.4). Po

zamontowaniu pamięci w gnieździe nie ma potrzeby konigurowania jej w programie

BIOS Setup płyty głównej, ponieważ moduły DIMM są wyposażone w małą pamięć

ROM, w której przechowują informacje o swoich parametrach.

Rysunek 7.4.

Moduł DIMM DDR SDRAM

7.3.3. Moduły RIMM

Moduły RIMM (ang. Rambus Inline Memory Module ) opracowane zostały przez irmę

Rambus dla produkowanych przez siebie kości pamięci RDRAM (rysunek 7.5). Wiel-

kością moduły RIMM przypominają DIMM, jednak nie są kompatybilne sprzętowo,

a płyta główna musi mieć odpowiednie gniazda pamięci.

151

SO-DIMM 72

DIMM 168

ROZDZIAł 7 t Pamięć operacyjna

Rysunek 7.5.

Moduł RIMM

Opracowano następujące typy modułów RIMM:

RIMM 16-bitowe:

RIMM 184

-końcówkowy — przeznaczony dla pamięci RIMM 1600 i 2100.

RIMM 32-bitowe:

RIMM 232

-końcówkowy — przeznaczony dla pamięci RIMM 3200 i 4267.

RIMM 64-bitowe:

RIMM 326

-końcówkowy — przeznaczony dla pamięci RIMM 6400 i 8532.

7.4. Błędy pamięci, kontrola

parzystości i korekcja błędów

Podczas pracy pamięci RAM mogą pojawić się błędy, które negatywnie wpływają na

działanie systemu operacyjnego. Błędy mogą mieć charakter izyczny (błędy twarde)

lub logiczny (błędy miękkie).

Błędy twarde (ang. hard error ) oznaczają izyczne uszkodzenie komórek pamięci i je-

dynym rozwiązaniem jest wymiana modułu na nowy. Tego typu błędy mogą objawiać

się wyskakiwaniem niebieskiego ekranu, informującego o błędzie wyjątku krytycznego

(ang. fatal error ) systemu Windows.

Powodem pojawiania się błędów miękkich (ang. soft error ) mogą być różne zjawiska

izyczne skutkujące chwilowym zachwianiem stabilności przechowywanych danych

— bez izycznego uszkodzenia kości pamięci. Nie ma idealnego sposobu na uniknięcie

tego typów błędów, ale można nabyć pamięć wyposażoną w mechanizmy wykrywa-

nia i usuwania błędów miękkich, które pozwolą na zmniejszenie skali zjawiska.

Kontrola parzystości jest metodą wykrywania błędów miękkich, które mogą pojawiać

się w pamięci RAM. Działanie polega na dodaniu do jednego bajta z danymi dodatko-

wego bitu (oznaczonego jako bit parzystości — ang. parity bit ), który informuje, czy

w ciągu ośmiu bitów znajduje się parzysta, czy nieparzysta liczba jedynek bitowych.

W celu wykorzystania kontroli parzystości trzeba zaopatrzyć się w kości pamięci i pły-

tę główną wspomagającą mechanizm wykrywania błędów. Jeżeli chcemy, aby wykry-

wane błędy były również usuwane, musimy nabyć pamięć wyposażoną w mechanizm

korekcji błędów , czyli funkcję ECC (ang. Error Correcting Code ). Funkcja ECC, oprócz

wykrywania błędów miękkich, potrai naprawić jeden bit z bajta.

15 2

Plik z chomika:

Inne pliki z tego folderu:

Inne foldery tego chomika: