1. A
2. A
3. A
4. A
5. A
6. A
7. A
8. A
9. A
10. A
11. A
12. A
13. A
14. A
15. A
16. A
17. A
18. A
19. A
20. A
21. A
22. A
23. A
24. A
25. A
26. A
27. A
28. A
29. A
30. A
31. A
32. A
33. A
34. A
35. A
36. A
37. A
38. A
39. A
40. A
41. A
42. A
43. A
44. A
45. A
46. A
47. A
48. A
49. A
50. A
51. A
52. A
53. A
54. A
55. A
56. A
57. A
58. A
59. A
60. A
61. A
62. A
63. A
64. Przedstaw klasyfikację tyrystorów i narysuj ich charakterystyki I = f (U).
Dynistor Tyrystor triodowy przewodzący wstecznie
Diak Triak
65. Przedstaw strukturę warstwową ( model), model dwutranzystorowy tyrystora. Przedstaw wzór na IA. Określ warunek załączania.
a1,a2-zwarciowe współczynniki wzmocnienia prądowego tranzystora w układzie WB
Ig – prąd wsteczny (generacji) złącza C-B
Prąd płynący przez tyrystor będzie dopóki mały dopóty wartość sumy (a1+a2) będzie niewielka w porównaniu z jednością. Gdy wartość sumy zbliża się do 1 prąd tyrystora gwałtownie rośnie a przyrząd przechodzi ze stanu blokowania w stan przewodzenia.
66. Przedstaw metody załączania tyrystora.
-powielanie lawinowe nośników prądu w warstwie zaporowej złącza
-wzrost prądu generacji złącza pod wpływem temperatury, oświetlenia lub promieniowania
-przepływ prądu pojemnościowego, przy nagłej zmianie napięcia zasilającego tyrystor
67. Wyjaśnij określenie „ tranzystory polowe ”( unipolarne).Określ podstawowe parametry opisujące ich właściwości.
Tranzystory polowe – tranzystory w których sterowanie prądem odbywa się za pomocą pola elektrycznego.
Parametry: Moc admisyjna, rezystancja wejściowa , rezystancja wyjściowa, napięcie progowe, wzmocnienie napięciowe
68. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukturę rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu n.
Jednorodny obszar półprzewodnika występujący między drenem i źródłem stanowi kanał, przez który płynie prąd nośników większościowych (elektrony)i którego rezystancję można zmieniać poprzez zmianę jego przekroju. Zmianę przekroju kanału uzyskuje się przez rozszerzanie lub zwężanie warstwy zaporowej złącza p–n, powodowane zmianą wartości napięcia UGS, polaryzującego złącze bramka – kanał w kierunku zaporowym
69. Opisz zasadę działania, narysuj przekrój przez strukture rzeczywistą, symbol ogólny i spolaryzuj tranzystor JFET z kanałem typu p.
Jednorodny obszar półprzewodnika występujący między drenem i źródłem stanowi kanał, przez który płynie prąd nośników większościowych (dziury)i którego rezystancję można zmieniać poprzez zmianę jego przekroju. Zmianę przekroju kanału uzyskuje się przez rozszerzanie lub zwężanie warstwy zaporowej złącza p–n, powodowane zmianą wartości napięcia UGS, polaryzującego złącze bramka – kanał w kierunku zaporowym
70. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora JFET . Zdefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : gds., IDSS.
gds jest stosunkiem przyrostu prądu ID w pewnym przedziale przyrostu napięcia UDS do tego przyrostu napięcia (z wykresu można wywnioskować co i jak)
IDSS jest to prąd odcięcia i jest to na wykresie miejsce gdzie nagle od tego miejsca zwiększanie napięcia UDS powoduje tylko niewielki wzrost ID
71. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora JFET . Zdefiniuj i przedstaw sposób wyznaczenia z nich parametru : gm, Up, IDSS.
gm jest to stosunek przyrostu prądu ID w pewnym przedziale przyrostu napięcia UGS do tego napięcia.
Up jest to napięcie odcięcia kanału, czyli napięcie polaryzacji bramki UGS, przy którym
obszary ładunku przestrzennego złącza zamykają kanał i wartość ID=0
IDSS – wartość prądu w zakresie nasycenia dla UGS=0,
72. Przedstaw klasyfikacje tranzystorów MIS i opisz ogólnie zasadę ich działania.
* klasyfikacja tranzystorów ze względu na typ przewodnictwa:
- tranzystor MIS z kanałem typu p (na podłożu n) – przewodnictwo dziurowe,
- tranzystor MIS z kanałem typu n (na podłożu typu p) – przewodnictwo elektronowe,
* klasyfikacja ze względu na różnicę w zjawiskach fizycznych
- z kanałem zaindukowanym (w postaci warstwy inwersyjnej) - tranzystor typu „I”
- z kanałem wbudowanym (warstwa domieszkowana o przeciwnym typie przewodnictwa niż podłoże) – tranzystor typu „W”
* klasyfikacja tranzystorów ze względu na kryteria układowe (różnice w przebiegu podstawowych charakterystyk)
- tranzystor z kanałem zubożanym = tranzystor włączony normalnie („W”, „I”)
- tranzystor z kanałem wzbogaconym – tranzystor normalnie wyłączony – kanał tylko indukowany
73. Wymień i opisz odmiany tranzystorów MOS.
*klasyfikacja tranzystorów ze względu na typ przewodnictwa:
- z kanałem zaindukowanym (w postaci warstwy inwersyjnej), kanał jest zawsze tuz przy powierzchni
(tranzystor typu „I”)
- z kanałem wbudowanym (warstwa domieszkowana o przeciwnym typie przewodnictwa niż podłoże), kanał odsuwa się od powierzchni
– tranzystor typu „W”
(pI, pW, nI, nW)
74. (Konsultacje)Przedstaw budowę struktury i układ polaryzacji tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n. Jak powstaje kanał w takim tranzystorze? Jak sterujemy tym tranzystorem?
75. Narysuj charakterystyki wyjściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n.
Kanał typu n wzbogacony (normalnie wyłączony)
Charakterystyka wyjściowa
76. Narysuj charakterystyki przejściowe tranzystora MOSFET normalnie wyłączonego z kanałem typu n. Zdefiniuj pojęcie napięcia progowego UT
Charakterystyka przejściowa
...
ondzej