monokryształy.pdf

(296 KB) Pobierz
METODY OTRZYMYWANIA
MONOKRYSZTAŁÓW
996746714.018.png
SIŁA NAPĘDOWA PROCESU
KRYSTALIZACJI
Gs – Gc = ∆Gchem < 0
G = f(T), p = const
G = f(p), T = const
996746714.019.png 996746714.020.png 996746714.021.png
 
ZARODKI
mikroobszary nowej fazy
∆Gn – zmiana entalpii swobodnej, która towarzyszy
utworzeniu się w jednorodnej fazie ciekłej jednego
zarodka fazy krystalicznej
∆Gn = V·∆Gchem + S·γ
V
– objętość zarodka
S
– rozwinięcie powierzchni zarodka
γ – energia powierzchniowa
996746714.001.png
∆Gn = V·∆Gchem + S·γ
Dwa przeciwstawne procesy:
1)
V·∆Gchem < 0
2)
S·γ > 0
WIELKOŚĆ ZARODKA
KRYTYCZNEGO
r*
996746714.002.png 996746714.003.png 996746714.004.png
ZARODKOWANIE
ZARODKOWANIE
HOMOGENICZNE
ZARODKOWANIE
HETEROGENICZNE
grupy atomów fazy
ciekłej stanowiące
zespoły bliskiego
uporządkowania
faza stała obecna w
układzie
ZARODKI
w dowolnym miejscu
cieczy, gdzie utworzył
się zarodek o wielkości
krytycznej
na powierzchniach fazy
stałej
MIEJSCE
KRYSTALIZACJI
przechłodzenia znacznie
mniejsze niż dla
zarodkowania
homogenicznego
wymaga dużych
przechłodzeń
PRZECHŁODZENIE
∆T
996746714.005.png 996746714.006.png 996746714.007.png 996746714.008.png 996746714.009.png 996746714.010.png 996746714.011.png 996746714.012.png 996746714.013.png 996746714.014.png 996746714.015.png 996746714.016.png 996746714.017.png
Zgłoś jeśli naruszono regulamin