monokryształy.pdf
(
296 KB
)
Pobierz
METODY OTRZYMYWANIA
MONOKRYSZTAŁÓW
SIŁA NAPĘDOWA PROCESU
KRYSTALIZACJI
Gs – Gc = ∆Gchem < 0
G = f(T), p = const
G = f(p), T = const
ZARODKI
mikroobszary nowej fazy
∆Gn
– zmiana entalpii swobodnej, która towarzyszy
utworzeniu się w jednorodnej fazie ciekłej jednego
zarodka fazy krystalicznej
∆Gn = V·∆Gchem + S·γ
V
– objętość zarodka
S
– rozwinięcie powierzchni zarodka
γ – energia powierzchniowa
∆Gn = V·∆Gchem + S·γ
Dwa przeciwstawne procesy:
1)
V·∆Gchem < 0
2)
S·γ > 0
WIELKOŚĆ ZARODKA
KRYTYCZNEGO
r*
ZARODKOWANIE
ZARODKOWANIE
HOMOGENICZNE
ZARODKOWANIE
HETEROGENICZNE
grupy atomów fazy
ciekłej stanowiące
zespoły bliskiego
uporządkowania
faza stała obecna w
układzie
ZARODKI
w dowolnym miejscu
cieczy, gdzie utworzył
się zarodek o wielkości
krytycznej
na powierzchniach fazy
stałej
MIEJSCE
KRYSTALIZACJI
przechłodzenia znacznie
mniejsze niż dla
zarodkowania
homogenicznego
wymaga dużych
przechłodzeń
PRZECHŁODZENIE
∆T
Plik z chomika:
lechu567
Inne pliki z tego folderu:
DSC00247.JPG
(859 KB)
DSC00249.JPG
(801 KB)
DSC00251.JPG
(838 KB)
DSC00253.JPG
(974 KB)
DSC00254.JPG
(784 KB)
Inne foldery tego chomika:
CVD - od Beaty
Kinetyczno-cząsteczkowa teoria wzrostu kryształów
pimenergiasieciowawkrysztale
Referat
skan
Zgłoś jeśli
naruszono regulamin