elektronik_03_2010.pdf

(33107 KB) Pobierz
Elektronik 3/2010
Elektronik
marzec
9,50zł (w tym 0%VAT)
Wywiad: rozmowa ze Zbigniewem Danilukiem,
właścicielem rmy NDN – str. 30
ISSN -1248-4030
INDEKS 340 731
MAGAZYN ELEKTRONIKI PROFESJONALNEJ
W numerze
Produkcja elektroniki
w Chinach coraz mniej
opłacalna
Wyzwania zwią-
zane z przenie-
sieniem działal-
ności do Chin o -
raz kłopoty, ja-
kie producenci elektroniki odczuwa-
ją w bieżącym roku, sprawiają, że
coraz częściej pojawia się pytanie
o zasadność lokowania produkcji
w tym kraju. Mimo że w ostatnich
latach Chiny były postrzegane ja-
ko region szczególnie atrakcyjny
dla inwestorów, coraz częściej jed-
nak pod uwagę brane są także inne
lokalizacje.
Plessey Semiconductors wznawia działalność
Patrz str. 8
Menedżerom zarządzającym brytyjskimi fabry-
kami półprzewodników w Swindon i byłą fabry-
ką X-Fab w Roborough pod Plymouth we współ-
pracy ze spółką Plus Semi udało się wznowić
produkcję półprzewodników pod nazwą Plessey
Semiconductors. Firma planuje wprowadzić na
rynek szereg wydajnych układów analogowych
i sygnałów mieszanych według własnych pro-
jektów, ale na początku będzie oferować same
usługi produkcyjne (foundry). Obie przejęte
obecnie przez Plus Semi fabryki należały kie-
dyś do General Electric Company oraz właś-
nie Plessey Semiconductors – w latach 70. i 80.
ubiegłego wieku pioniera produkcji układów
analogowo-cyfrowych w Wielkiej Brytanii.
Zakład w Roborough bazujący na krzemie
200mm obecnie wytwarza dla klientów
zewnętrznych układy CMOS w technologii pro-
cesu 0,35μm. W tym roku Plessey planuje wdro-
żenie w tym zakładzie procesów bazujących na
technologii SOI (Silicon on Insulator).
Ofensywa pojemnościo-
wych ekranów dotykowych
Popularne obecnie rezystancyj-
ne ekrany dotykowe w niedalekiej
przyszłości mogą zostać zastąpio-
ne rozwiązaniami pojemnościowy-
mi. Wymagania konsumentów oraz
nieustanny rozwój technologiczny
sprawiają, że graficzny interfejs
użytkownika współpracujący z ekra-
nem dotykowym powoli zaczyna
być standardem.
Sytuacja w branży EMS stabilizuje się
Patrz str. 89
Rok 2009 zaczął się tragicznie dla dostawców
usług produkcyjnych, jednak już w drugim
kwartale rynek uległ niewielkiemu ożywieniu.
Wrosła liczba zamówień, liczba zalegających w
magazynach produktów malała, a same rmy
zaczęły odczuwać korzyści z podjętych działań
restrukturyzacyjnych i redukcji kosztów. Eks-
perci nie są pewni, czy odnotowane w ostatnich
miesiącach zwiększone zainteresowanie usłu ga -
mi produkcji kontraktowej może przełożyć się
na długotrwały trend. Istnieje kilka czynników
wpływających na niską przewidywalność rynku,
z czego głównym jest sytuacja makroekono-
miczna. Recesja światowej gospodarki, mimo
że według zapewnień ekspertów powoli dobiega
końca, nadal kształtuje krajobraz rynku. Popyt
co prawda się poprawia, ale nadal istnieje sporo
Pomiar natężenia prądu
w sieci energetycznej
Monitorowanie
prądu pobiera-
nego przez u-
rządzenie zasi-
lane z sieci ener-
getycznej może
sprawiać pewne trudności, zwłasz-
cza, gdy ze względu na bezpieczeń-
stwo użytkownika pomiar ten musi
zostać zrealizowany tanim układem
z obwodem wyjściowym galwanicz-
nie izolowanym od wejściowego.
Prąd można mierzyć czujnikami ba-
zującymi na efekcie Halla.
Czołowe firmy EMS wg IDC (dane w mld dolarów)
niewykorzystanych linii produkcyjnych, a bran-
ża jest w stanie przesycenia. Jednocześnie nie-
stabilna sytuacja...
Patrz str. 80
Patrz str. 12
Temat miesiąca: Polscy producenci i dystrybutorzy zasilaczy
impulsowych dużej mocy – raport techniczno-rynkowy – str. 58
Automaticon 2010 – przewodnik targowy – str. 34
3 / 2010
340029424.028.png 340029424.029.png 340029424.030.png 340029424.031.png 340029424.001.png 340029424.002.png 340029424.003.png 340029424.004.png 340029424.005.png 340029424.006.png 340029424.007.png 340029424.008.png 340029424.009.png
Od redakcji
Kierunek Z
w zakresie technologii półprze-
wodników i udanym wdroże-
niem nowego procesu o coraz mniej-
szym wymiarze charakterystycznym
rosną obawy środowiska inżynierskiego
o to, czy ograniczenia fizyczne krzemu
nie zatrzymają tempa miniaturyzacji i nie
spowodują, że osiągniemy fizyczny kres
możliwości coraz większego upakowy-
wania elementów w strukturach scalo-
nych. Obawy te nie są bezzasadne, gdyż
w przypadku najnowszego procesu 22nm
grubość warstwy tlenku krzemu izolu-
jącego bramkę tranzystorów MOSFET
wynosi mniej więcej tyle, ile zajmuje 40
warstw atomów w krysztale, co powo-
duje dotkliwe problemy z prądem upły-
wu bramki, koniecznością zmniejszania
napięcia zasilającego zwiększającą podat-
ność układów cyfrowych na zakłócenia,
pogarszającym się uzyskiem produkcji
i w konsekwencji lawinowo wzrastają-
cymi kosztami. Zdaniem specjalistów,
ku rozpaczy fanów prawa Moore’a, splot
takich niekorzystnych zjawisk zatrzy-
ma rozwój technologiczny na poziomie
16nm, czyli już za kilka lat. Taka nieodle-
gła perspektywa budzi zrozumiały niepo-
kój, gdyż w naturalny sposób postępująca
miniaturyzacja jest nośnikiem postępu
w całej elektronice, a z drugiej strony
mimo wielu zapowiedzi i rewolucyjnych
odkryć, nie ma żadnej innej sensownej
alternatywy dla krzemu.
Oczywiście na rynku pojawiają się nowe
rozwiązania zapewniające większą możli-
wość scalania, czego przykładem mogą
być układy wielostrukturowe zawierające
kilka struktur połączonych w jednej obu-
dowie, niemniej każde z nich ma jakieś
wady i jest traktowane jako przejściowe,
niepełne i na pewno nie docelowe. Przy
ogromnych kosztach, jakie trzeba ponieść
na sprzęt technologiczny do produkcji
półprzewodników, producenci nie spieszą
się także z wprowadzaniem nowości, gdyż
ryzyko tra enia w coś, co się nie przyj-
mie, jest spore. Wolą naturalnie rozwijać
to, co znają, walcząc z wieloma dotkliwy-
mi ograniczeniami, bazując na doświad-
czeniu oraz posiadanych urządzeniach.
Z tym większym zadowoleniem należy
przyjąć informację, że po kilku latach prób
przemysł półprzewodnikowy wypracował
takie rozwiązanie, które uznane zosta-
ło za technologię spełniającą wszystkie
oczekiwania i wolną od większości wad.
Rozwiązanie to, będące podsumowaniem
prac prowadzonych od ponad pięciu lat,
zostało przedstawione na wspólnej kon-
spiętrzony gotowy układ scalony wygląda
podobnie jak tradycyjny. Spiętrzanie, czyli
innymi słowy rozbudowa układu wzdłuż
osi z, pozwala zwiększać stopień integra-
cji i złożoności układów scalonych w ra-
mach dotychczasowych osiągnięć techno-
logicznych. Niemniej przelotki wewnątrz
krzemu eliminują potrzebę bondingu, jak
w układach zawierających wiele struktur
w obudowie (MCM) i pozwalają stoso-
wać bardzo ciasne i niskie obudowy bez
wyprowadzeń metalowych, w których
podłączenia realizuje się za pomocą pól
kontaktowych na dole krzemowej płytki.
Spiętrzanie, czyli innymi słowy rozbudowa
układu wzdłuż osi z, pozwala zwiększać stopień
integracji i złożoności układów scalonych w ramach
dotychczasowych osiągnięć technologicznych
ferencji przez przedstawicieli wielkich
rm jak Intel, NEC, NXP, Samsung, ST
Micro, którzy zaangażowali się w badania
i rozwój w tej tematyce. Zostało ono zali-
czone przez rmy analityczne takie jak
Frost & Sullivan i Yole Development do
grona dziesięciu nadchodzących techno-
logii, w które warto inwestować. Ratunek
dla elektroniki ma przynieść 3D TSV, czyli
technologia spiętrzania polegająca na roz-
budowywaniu chipów półprzewodniko-
wych w pionie, które realizuje się poprzez
„naklejenie” na siebie kilku jednakowych
struktur tak, że całość przypomina wie-
lowarstwową „kanapkę”. Dolna struktura
jest trochę grubsza od cienkich pozo-
stałych warstw, aby zapewnić stabilność
mechaniczną. Wyróżniającą cechą tego
rozwiązania jest to, że poszczególne struk-
tury scalone są tych samych rozmiarów,
a połączenia między nimi wykonywane
są za pomocą metalizowanych przelotek
TSV ( rough Silicon Via). Z zewnątrz
Sklejanie układu z kilku struktur to też
możliwość mieszania różnych technologii
w obrębie jednego układu scalonego, np.
CMOS z BiMOS, układów analogowych
z cyfrowymi itp. Przelotki w miejsce dłu-
gich drutów bondingu to także sposób
na zapewnienie dużej szybkości działania,
w których magistrale komunikacyjne są
bardzo krótkie. Mimo wielu niepokojów
wiadomo było, że jakieś wyjście musi
się znaleźć. Niemniej mało kto spodzie-
wał się, że przemysł wspólnie wypracuje
i zaakceptuje rozwiązanie tak proste, ele-
ganckie i dające fantastyczne możliwości
integracji. Zafascynowany wyjątkowym
konsensusem przemysłu w tej sprawie
otwierający konferencję wymienionych
rm Ho-Ning Tong zacytował Wiktora
Hugo: „Nie ma na świecie nic równie
potężnego jak pomysł, którego czas
właśnie nadszedł”, co doskonale oddaje
nastrój panujący w branży.
Robert Magdziak
4
Marzec 2010 Elektronik
Z każdym kolejnym sukcesem
340029424.016.png 340029424.017.png 340029424.018.png
P7FH7IP7COD7J7H=?7KJEC7J?9ED
()$&)#(,$&)$(&'&MWhipWmW
>WbW???ZWmd_[`^WbW??"ijWdem_iae>'(#@''
FedWZ+&&&&&fheZkajċmme\[hY_[
EZfedWZ'(&&m_eZÃYoY^fheZkY[djċm
IpoXaWZeijWmWmY_Ã]k(*^pW`[Zod[+;khe
Gifa\bklaqeXac\gjqpd`
8Gi\d`\i=Xie\cc:fdgXep
ZejoYpopWcċm_[ĆiaāWZWdoY^edb_d[
340029424.019.png 340029424.020.png 340029424.021.png 340029424.022.png 340029424.023.png 340029424.024.png 340029424.025.png 340029424.026.png 340029424.027.png
Zgłoś jeśli naruszono regulamin